脈沖激光沉積是采用高功率脈沖激光對材料進行蒸發,并在基底上形成薄膜的方法。該技術適用面非常廣,從單質、氧化物、氮化物到高分子均能沉積;并且由于該技術可精確控制化合物薄膜中各元素的相對比例,尤其適合沉積高精度的多元化合物薄膜,先廣泛用于高溫超導、鐵電、壓電、生物陶瓷、光磁記錄等薄膜的制備。

脈沖激光沉積是采用高功率脈沖激光對材料進行蒸發,并在基底上形成薄膜的方法。該技術適用面非常廣,從單質、氧化物、氮化物到高分子均能沉積;并且由于該技術可精確控制化合物薄膜中各元素的相對比例,尤其適合沉積高精度的多元化合物薄膜,先廣泛用于高溫超導、鐵電、壓電、生物陶瓷、光磁記錄等薄膜的制備。
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